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陕西传媒网-陕西日报讯(记者 王晓阳)8月19日,由西安理工大学研制的新一代大尺寸电子级硅单晶炉,成功拉制出了直径400mm(16英寸)无位错硅单晶棒,实现了在磁场环境下更大直径电子级硅单晶生长关键技术的重大突破。此设备的研发和完整工艺均属国内首创。
据悉,目前我国大规模集成电路生产线中的硅片8-12英寸制造装备大都依赖进口,集成电路用晶圆片生产设备国内的主流是8英寸,国际上的主流是12英寸的硅单晶设备。
西安理工大学刘丁教授所带领的研发团队,在完成了国家科技重大专项“300mm硅单晶直拉生长装备的开发”项目并取得国家技术发明奖等重大成果的基础上,瞄准集成电路用硅材料的市场需求,对大尺寸电子级硅单晶炉的大型热系统优化设计、磁控拉晶工艺等核心关键技术进行攻关,研制出了新型大尺寸、低功耗热系统,配置了热屏提升系统,通过对磁场环境下高品质硅单晶的生长工艺研究和实验,取得在更大直径电子级硅单晶生长关键技术的重大突破,顺利实现了12英寸电子级硅单晶炉关键工艺技术的升级换代,成功拉制出了直径16英寸无位错硅单晶棒。
这项技术的取得,标志着西安理工大学保持了在大尺寸电子级硅单晶炉关键技术的国内领先地位。其所研制的新一代大尺寸电子级硅单晶炉及核心工艺同时也将为服务我省集成电路集群产业的发展需求,实现关键材料的产业化具有重要的现实意义。据悉,最新研发出来的全套技术装备已经被用户预定,将于近日交付使用。